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J-GLOBAL ID：200903000059289158

電界放出陰極の製造方法

Inventor： 坂井 裕一 ,  熊谷 宗人
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (1)： 高田 守 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991197685
Publication number (International publication number)：1993041152
Application date： Aug. 07, 1991
Publication date： Feb. 19, 1993
Summary：

【要約】【目的】 真空マイクロデバイス等に用いる電界放出陰極の製造方法において、電界放出陰極材料として、金属が使え、特性がよく、かつ形状制御の容易な電界放出陰極が形成できる。【構成】 角錐型あるいは円錐型の凹み31aを基板31上に設け、その上に電界放出陰極材料32をスパッタ等で形成する。その後基板を溶解除去することにより、電界放出陰極を形成する。【効果】 性能、信頼性が高く製造コストの安い電界放出陰極が製造できる。

Claim (excerpt)：

錐型の電界放出電極を持つマイクロ真空デバイスにおいて、基板に錐型の凹みを形成し、この凹みの上に電極材料を形成し、その後基板を除去することによって錐型の電界放出電極を得ることを特徴とする電界放出陰極の製造方法。