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J-GLOBAL ID：200903000067783145

偏光解析方法およびこれによるエリプソメータ

Inventor： 東谷 満 ,  関根 国夫 ,  古賀 正男 ,  富田 千登美
Applicant, Patent owner： フォトデバイス株式会社
Agent (1)： 若林 忠
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992194167
Publication number (International publication number)：1994034523
Application date： Jul. 21, 1992
Publication date： Feb. 08, 1994
Summary：

【要約】【目的】 基板の厚みが数mm程度であり、かつ、透明な材質であってもこれに対処することのできる偏光解析方法およびこれによるエリプソメータを実現すること。【構成】 試料表面に測定用の光を入射させ、その出射光の光強度値を理論式により得られた光強度値と比較することにより、試料を構成する基板または基板表面に付着した膜質を解析する偏光解析方法において、前記基板からの反射光を含めた理論式を、基板を通った後の反射光については他の反射光と干渉しないものとして考える。

Claim (excerpt)：

試料表面に測定用の光を入射させ、その出射光の光強度値を理論式により得られた光強度値と比較することにより、試料を構成する基板または基板表面に付着した膜質を解析する偏光解析方法において、前記基板からの反射光を含めた理論式を、基板を通った後の反射光については他の反射光と干渉しないものとして考えることを特徴とする偏光解析方法。

IPC (2)：

G01N 21/21 ,  G01J 4/04

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 特開昭58-090148