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J-GLOBAL ID：200903000070940936
携帯無線装置
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
八幡 義博
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993125513
Publication number (International publication number)：1994314985
Application date： Apr. 28, 1993
Publication date： Nov. 08, 1994
Summary：
【要約】【目的】 挿入損失を低減して通話時間の増大等を図る。【構成】 装置107 は、GaAsFET を用いて構成され、端子104 と105 から正負の電源供給を受け、印加される入力信号を電力増幅して高周波スイッチに出力する。高周波スイッチには端子104 と105 に印加される正負の電圧が切換制御電圧として回路112 を介して印加される。図示例では、108 と111 のFET がオフし、109 と110 のFET がオンし、装置107 の出力はFET 110 を通って出力端子103 に送出される。切換制御電圧は正電圧と負電圧であるので、レベル差を大きくでき挿入損失を改善できる。更に高周波スイッチ108 〜111 もGaAsFET で構成してよいが、高周波スイッチに印加する負電圧は送信時のみとすれば、一層の低減効果がある。このとき、負電圧電源側で負電圧の発生を制御すれば消費電流の低減も図れる。
Claim (excerpt)：
トランジスタを用いた少なくとも1つの高周波電力増幅装置と; 前記高周波電力増幅装置の出力を複数の系へ切り換えて出力する、又は、複数の高周波電力増幅装置の出力を1つの系へ切り換えて出力することを半導体素子の組み合わせにより実現する少なくとも1つの高周波スイッチと; 前記高周波電力増幅装置と前記高周波スイッチとに直接または電圧変換手段を介して接続される少なくとも1つの正電圧発生手段及び少なくとも1つの負電圧発生手段と; を備えたことを特徴とする携帯無線装置。
IPC (3)：
H04B 1/40
, H03K 17/693
, H04B 1/18
