Pat
J-GLOBAL ID：200903000073485547

III族窒化物系電子デバイスおよびエピタキシャル基板

Inventor：
橋本 信

About 橋本 信

, 
木山 誠

About 木山 誠

, 
田辺 達也

About 田辺 達也

, 
善積 祐介

About 善積 祐介


Applicant, Patent owner：
住友電気工業株式会社

About 住友電気工業株式会社


Agent (4)： 長谷川 芳樹 ,  寺崎 史朗 ,  柴田 昌聰 ,  近藤 伊知良
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006124147
Publication number (International publication number)：2007299793
Application date： Apr. 27, 2006
Publication date： Nov. 15, 2007
Summary：
【課題】キャリア補償の影響を低減可能なIII族窒化物系電子デバイスを提供する。【解決手段】III族窒化物系電子デバイス11では、ドリフト層15は主面13a上に設けられており、また1×1017cm-3未満のシリコン濃度を有するn-型III族窒化物系半導体からなる。このシリコンはドナーとして作用する。合成オフ角は主面13aの全体にわたって0.15度以上である。合成オフ角は、例えばIII族窒化物支持基体13のC面の単位法線ベクトルVCNと主面13aの単位法線ベクトルVPNとの成す角度である。合成オフ角の値は、主面13a上にわたって分布している。ドリフト層15内における炭素濃度NCは3×1016cm-3以下である。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
主面を有するIII族窒化物支持基体と、 3×1016cm-3以下のシリコン濃度もしくはゲルマニウム濃度を有するn-型III族窒化物系半導体からなり前記主面上に設けられたドリフト層と を備え、 前記ドリフト層内における炭素濃度は3×1016cm-3以下であり、 前記III族窒化物支持基体のC面の単位法線ベクトルVCNと前記主面の単位法線ベクトルVPNとの成す合成オフ角は前記主面の全体にわたって0.15度以上である、ことを特徴とするIII族窒化物系電子デバイス。
IPC (6)：
H01L 29/47 ,  H01L 29/872 ,  H01L 29/861 ,  H01L 29/201 ,  H01L 29/12 ,  H01L 29/78
FI (5)：
H01L29/48 D ,  H01L29/91 F ,  H01L29/203 ,  H01L29/78 652T ,  H01L29/78 652H
F-Term (16)：
4M104AA04 ,  4M104CC03 ,  4M104GG03 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AC01 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AC19 ,  5F045AD14 ,  5F045AD15 ,  5F045AE25 ,  5F045BB16 ,  5F045CA12 ,  5F045DB04
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (3) Cited by examiner (7)
Show all

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM