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J-GLOBAL ID：200903000081063244

半導体製造装置

Inventor： 古山 充利 ,  大橋 裕之 ,  前田 清司 ,  高橋 幸一
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992094271
Publication number (International publication number)：1993291162
Application date： Apr. 14, 1992
Publication date： Nov. 05, 1993
Summary：

【要約】【目的】本発明は、僅かなガスの使用量でガス供給管とガスインジェクタ-とのジョイント部からの外気の混入の影響を実質的に抑え、プロセスガスの純度の劣化を極めて低く抑えることを目的とする。【構成】ガス供給管8aとガスインジェクタ-10aとを接合されるジョイントに部9aを覆うガスパ-ジボックス30aを設ける。該パ-ジボックス30aはスカベンチャ-13内に設置され、上記ガスパ-ジボックス30aにはパ-ジガス供給管31aが接続され、ガスパ-ジボックス30a内の排気はガスインジェクタ-10aとガスパ-ジボックス30aとの微小な隙間からなされる。

Claim (excerpt)：

プロセスガスを供給するためのガス供給管と、熱処理チュ-ブ内に上記プロセスガスを供給するためのインジェクタ-と、上記ガス供給管と上記インジェクタ-が接合される接合部において、該接合部を覆うガスパ-ジ機構を具備することを特徴とする熱処理炉。