Pat
J-GLOBAL ID：200903000082590850
積層欠陥発生核を有するゲッタリングウエハの製造方法および同方法により製造されたシリコンウエハ
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
大関 和夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991320787
Publication number (International publication number)：1993155700
Application date： Dec. 04, 1991
Publication date： Jun. 22, 1993
Summary：
【要約】【目的】 本発明は、積層欠陥発生核を有するゲッタリングウエハの製造方法および同方法により製造したシリコンウエハを提供することを目的とする。【構成】 チョクラルスキー法により製造されたシリコン単結晶を、不活性雰囲気または酸化性雰囲気で1250°C以上1420°C以下の温度で5分以上保持し、-1°C/分以上-1000°C/分以下の冷却速度で1000°C以下まで冷却する。【効果】 上記の熱処理により、シリコン結晶内部に高密度の積層欠陥発生核が生成され、ゲッタリング能に優れたシリコンウエハを製造することが可能になる。
Claim (excerpt)：
チョクラルスキー法によるシリコン単結晶引き上げ後、不活性雰囲気または酸化性雰囲気で1250°C以上1420°C以下の温度から、-1°C/分以上-1000°C/分以下の冷却速度で冷却することを特徴とするウエハ内部に積層欠陥発生核を有するゲッタリングウエハの製造方法。
IPC (3)：
C30B 33/02
, C30B 29/06 501
, H01L 21/322
