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J-GLOBAL ID：200903000083116531
X線マスクおよびX線マスクの製造方法およびパターン形成方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
木村 高久
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992071379
Publication number (International publication number)：1993090138
Application date： Mar. 27, 1992
Publication date： Apr. 09, 1993
Summary：
【要約】 (修正有)【目的】 可視光透過率の高いX線透過膜を有するX線露光マスクを提供し、アスペクト比の高いパターンを高精度に形成する。【構成】 反射防止膜として、フッ素系ガスに対するエッチング耐性の高い酸化アルミニウムを用いる。さらにX線吸収体薄膜を形成しこれをエッチングストッパとしてX線吸収体薄膜のパターン形成のためのエッチングを行う。また、反射防止膜を厚く形成し、この後所望の厚さまでエッチバックすることにより、表面の平滑な反射防止膜を得る。反射防止膜は回転塗布法によって形成する。また、X線吸収体薄膜上にスパッタリングにより酸化アルミニウム層を堆積した後、所望の形状に形成し、これをマスクとしてX線吸収体薄膜をエッチングする。さらに、被エッチング層上の酸化アルミニウムパターンエッチングマスクとして被エッチング層をエッチングする。
Claim (excerpt)：
X線透過性薄膜上に形成されたX線吸収体薄膜パターンと、前記X線透過性薄膜上に形成された反射防止膜としての酸化アルミニウム膜とを具備したことを特徴とするX線マスク。
IPC (2)：
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (9)
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