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J-GLOBAL ID：200903000094311034
半導体製造方法および装置
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
筒井 大和
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992265660
Publication number (International publication number)：1994120181
Application date： Oct. 05, 1992
Publication date： Apr. 28, 1994
Summary：
【要約】【目的】 半導体ウエハの清浄化処理後に半導体ウエハの表面に自然酸化膜等が形成されるのを抑制する。【構成】 エピタキシャル装置の前処理部5に、半導体ウエハ6の表面をドライエッチング法によって清浄化するための処理機能と、清浄化処理後の半導体ウエハ6を水素イオン雰囲気で取り囲み半導体ウエハ6の表面のダングリングボンドを水素原子で終端するための処理機能とを持たせた。
Claim (excerpt)：
半導体ウエハの表面を清浄化する処理工程と、清浄化処理直後の半導体ウエハを水素イオン雰囲気で取り囲む工程とを有することを特徴とする半導体製造方法。
IPC (2)：
H01L 21/302
, H01L 21/304 341
