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J-GLOBAL ID:200903000095816792

超高純度誘電体薄膜形成用ターゲット材

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 広瀬 章一
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1994068604
Publication number (International publication number):1995054134
Application date: Nov. 16, 1990
Publication date: Feb. 28, 1995
Summary:
【要約】【目的】 一般式: Pb1-x Lax (ZrY Ti1-Y )1-x/4O3 (式中、0≦X<1、0≦Y≦1) で表されるペロブスカイト型鉛含有化合物からなる誘電体薄膜をスパッタリング法により形成するためのターゲット材の改良。【構成】 ターゲット材が、各成分金属の精製された有機金属化合物の熱分解で得た金属酸化物粉末を所定組成比となるように混合した混合物の焼結体からなり、この焼結体の上記構成金属の同族元素を除く金属不純物の総含有量が1ppm 以下、好ましくはLi、Na、Kの合計含有量が0.1 ppm 以下でU、Thの合計含有量が10 ppb以下である。【効果】 リーク電流が少なく、誘電特性に優れた超高純度のスパッタリング膜が得られる。
Claim (excerpt):
一般式: Pb1-x Lax (ZrY Ti1-Y )1-x/4O3 (式中、0≦X<1、0≦Y≦1) で表される鉛含有化合物からなる誘電体薄膜をスパッタリング法によって形成するためのターゲット材であって、このターゲット材は各成分金属の精製された有機金属化合物から得た金属酸化物粉末を前記一般式で表される所定組成比となるように混合した混合物の焼結体からなり、この焼結体の上記一般式を構成する金属の同族元素を除く金属不純物の総含有量が1ppm 以下であり、それにより該同族元素を除く金属不純物の総含有量が1ppm以下である超高純度の誘電体薄膜を形成することができるターゲット材。

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