Pat
J-GLOBAL ID：200903000098769698
半導体ウェーハの洗浄方法
Inventor：
,
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
石原 詔二
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994257032
Publication number (International publication number)：1996124889
Application date： Oct. 21, 1994
Publication date： May. 17, 1996
Summary：
【要約】【目的】 ウェーハの表面粗さ(マイクロラフネス)を悪化させることなく、効果的にウェーハの洗浄を行うことができる半導体ウェーハの洗浄方法を提供する。【構成】 研磨後の半導体ウェーハをフッ酸水溶液で洗浄し、ついてオゾンを含有した純水で水洗を行った後、ブラシ洗浄を行う。
Claim (excerpt)：
研磨後の半導体ウェーハをフッ酸水溶液で洗浄し、ついでオゾンを含有した純水で水洗を行なった後、ブラシ洗浄を行なうことを特徴とする半導体ウェーハの洗浄方法。
IPC (5)：
H01L 21/304 341
, H01L 21/304
, B08B 3/08
, C11D 7/02
, C11D 7/04
