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J-GLOBAL ID：200903000103642839

焼結体の製造方法および焼結体

Inventor： 石川 剛 ,  山口 和芳
Applicant, Patent owner： ペンタックス株式会社
Agent (2)： 増田 達哉 ,  朝比 一夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002235210
Publication number (International publication number)：2004075423
Application date： Aug. 12, 2002
Publication date： Mar. 11, 2004
Summary：

【課題】大がかりな装置を用いることなく、高密度の焼結体を製造し得る焼結体の製造方法、および、かかる焼結体の製造方法により製造される焼結体を提供すること。【解決手段】図1に示す焼結体の製造方法は、ハイドロキシアパタイト粉体の製造工程1と、圧粉体の製造工程2と、圧粉体の整形工程3と、圧粉体の焼成工程4とを有している。工程[2]におけるの加圧の方法は、等方的に加圧する方法、特に静水圧加圧が好ましく、加圧の圧力は、1ton/cm2以上であるのが好ましい。また、静水圧加圧としては、5〜50°C程度の温度で加圧されるCIP法が好ましい。また、工程[4]における焼成は、圧粉体を、大気の酸素分圧より高い酸素分圧の酸素含有雰囲気中で焼成することにより行われる。酸素分圧は、380mmHg以上であるのが好ましく、焼成温度は、925〜1300°Cであるのが好ましい。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

ハイドロキシアパタイト粉体を、1ton/cm2以上の圧力で加圧して圧粉体を得る工程と、 大気の酸素分圧より高い酸素分圧の酸素含有雰囲気中で、前記圧粉体を925〜1300°Cの温度で焼成して焼結体を得る工程とを有することを特徴とする焼結体の製造方法。

IPC (5)：

C04B35/447 ,  A61L27/00 ,  B28B3/00 ,  B28B3/02 ,  C04B35/626

FI (5)：

C04B35/00 S ,  A61L27/00 J ,  B28B3/00 102 ,  B28B3/02 P ,  C04B35/00 A

F-Term (16)：

4C081AB03 ,  4C081CF031 ,  4C081DA01 ,  4C081EA04 ,  4G030AA08 ,  4G030AA41 ,  4G030BA35 ,  4G030GA01 ,  4G030GA22 ,  4G030GA25 ,  4G030GA27 ,  4G054AA06 ,  4G054AC00 ,  4G054BA00 ,  4G054BA62 ,  4G054BE02

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開昭63-129057
  
• 高温酸素センサー
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-074611   Applicant：旭光学工業株式会社
• 焼結体の製造方法および焼結体
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-347984   Applicant：ペンタックス株式会社