Pat
J-GLOBAL ID:200903000109148070

ハニカム体およびその製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 大川 宏
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1995239894
Publication number (International publication number):1997075753
Application date: Sep. 19, 1995
Publication date: Mar. 25, 1997
Summary:
【要約】【課題】 接合強度の優れたメタル担体用ハニカム体およびその製造方法。【解決手段】 金属製の平板と波板とを交互に複数積層してなるハニカム体において、平板と波板との接合部にはSi又はNbを拡散状態で含ませた。その製法は金属製の平板と波板とを交互に複数積層してハニカム体を形成し、ハニカム体をSi又はNb蒸気が存在する雰囲気中で加熱して平板と波板との当接部を接合する。Si蒸気又はNb蒸気が存在する雰囲気中で加熱することで平板と波板との当接部が接合されるので接合部にはSi又はNbが拡散状態で含まれ、その結果きわめて高い接合強度が得られる。また、従来のロウ材を用いずとも平板と波板を接合することができ、ハニカム体を安価に製造できる上に、ロウ材を使用していないのでNiによる脆性破壊が防止され耐久性が向上する。
Claim (excerpt):
金属製の平板と金属製の波板とが交互に複数積層して、又は巻回してなるハニカム体において、該平板と該波板との接合部にはSiが拡散状態で含まれていることを特徴とするハニカム体。
IPC (3):
B01J 35/04 321 ,  B01J 35/04 ZAB ,  F01N 3/28 301
FI (3):
B01J 35/04 321 A ,  B01J 35/04 ZAB ,  F01N 3/28 301 P

Return to Previous Page