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J-GLOBAL ID：200903000111376498

端子電極、半導体装置、半導体モジュール、電子機器、端子電極の製造方法および半導体装置の製造方法

Inventor：
湯沢 健

About 湯沢 健


Applicant, Patent owner：
セイコーエプソン株式会社

About セイコーエプソン株式会社


Agent (3)： 森 哲也 ,  内藤 嘉昭 ,  崔 秀▲てつ▼
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003083065
Publication number (International publication number)：2004296497
Application date： Mar. 25, 2003
Publication date： Oct. 21, 2004
Summary：
【課題】突起電極の変形を抑制しつつ、接合時のダメージを効率よく吸収する。【解決手段】パッド電極2に接続された導電層6を感光性樹脂層4の開口部5内に形成し、感光性樹脂層4が導電層6の周囲に残るようにして、感光性樹脂層4を除去することにより、導電層6の周囲が感光性樹脂層4で覆われたバンプ電極を形成する。【選択図】 図1
Claim 1：
パッド電極上に形成された突起電極と、 前記突起電極を個別に取り囲むように設けられた樹脂層とを備えることを特徴とする端子電極。
IPC (1)：
H01L21/60
FI (3)：
H01L21/92 603C ,  H01L21/92 602G ,  H01L21/92 604S
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (6)
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Cited by examiner (7)
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