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J-GLOBAL ID:200903000111564715

3族窒化物半導体レーザダイオードの製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 藤谷 修
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1998080185
Publication number (International publication number):1999261158
Application date: Mar. 11, 1998
Publication date: Sep. 24, 1999
Summary:
【要約】【課題】レーザダイオードにおける共振器端面の平面度を向上させしいき値電流を低下させること。【解決手段】基板上に3族窒化物半導体から成る活性層を含む複数の層を形成した3族窒化物半導体レーザダイオードの製造方法において、レーザの共振器端面を集束イオンビームエッチングにより形成する。この場合に、3段階でエッチグすることで、面の平坦性を向上させることができる。
Claim (excerpt):
基板上に3族窒化物半導体から成る活性層を含む複数の層を形成した3族窒化物半導体レーザダイオードの製造方法において、レーザの共振器端面を集束イオンビームエッチングにより形成することを特徴とする3族窒化物半導体レーザダイオードの製造方法。
Patent cited by the Patent:
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