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J-GLOBAL ID：200903000114776659

光電子集積回路

Inventor： デビッド ジョセフ ローレンス ,  クリフォード オーティス ヒル ,  ケイス ブライアン カーン ,  デビッド エル ピーターソン ,  フランク トーマス ジョン スミス
Applicant, Patent owner： イーストマン・コダツク・カンパニー
Agent (1)： 吉田 研二 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993003819
Publication number (International publication number)：1993259432
Application date： Jan. 13, 1993
Publication date： Oct. 08, 1993
Summary：

【要約】【目的】 横向きで水平なpn接合をもつ光電子デバイスを含む光電子集積回路を提供する。【構成】 光電子集積回路が、表面から内部に伸びている複数の凹所18,20をもち、表面に少なくともひとつのn-型伝導性の領域のある、半絶縁の半導体材料の本体12で作られる。ひとつの伝導性の型をした半導体材料の領域30,32が、各々の凹所18,20を部分的に満たし、凹所18,20の側面に沿って本体の表面まで伸びている。独立した光電子デバイスが、各々の凹所18,20の残りの部分を満たし、本体表面まで達している。独立した電界効果トランジスターが各々の領域にある。導電性ストリップ82が本体表面上に伸び、電界効果トランジスターと光電子デバイスとに電気的に接続される。凹所18,20中の半導体領域は、光電子デバイスの各側面に対する接点として働き、光電子デバイス中に垂直方向の電流をもたらす。

Claim 1：

光電子集積回路であって、一対の反対向きの表面をもつ半絶縁半導体材料でできた本体と、一方の表面からのびている本体の凹所であって、一対の間隔のあいた側壁をもつ凹所と、凹所の一部にあって、一種類の伝導性をもつ伝導率の高い半導体材料でできていて、側壁のひとつに沿って基板の一方の表面に向かってのびている部分のある第一の領域と、凹所中にある光電子デバイスであって、基板の一方の表面に向かってのびるように凹所の残りの部分を満たしていて、光電子デバイスは少なくとも二つの層をもち、下の層は第一の領域の半導体材料と同じ種類の伝導性をもち、もう一方の層は第一の伝導性とは反対の第二の伝導性をもっていて、一方の表面にむかってのびているような光電子デバイスと、光電子デバイスの一方の側の接点として働き、光電子デバイスを通して垂直に電流が流れるようにする半導体材料の領域と、を有することを特徴とする光電子集積回路。