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J-GLOBAL ID：200903000131846598
高純度銀膜の形成方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
重野 剛
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995159312
Publication number (International publication number)：1996074055
Application date： Jun. 26, 1995
Publication date： Mar. 19, 1996
Summary：
【要約】【目的】 有機Ag化合物の蒸気を分解させてAgを基板上に堆積させるAg-MOCVD法により、低い反応温度により高純度Ag膜を容易かつ効率的に形成する。【構成】 有機Ag化合物の蒸気に波長240nm以上の光を照射して分解する。【効果】 波長240nm以上の光により有機Ag化合物を分解する本発明の光分解MOCVD法によれば、200°C以下の温度での高速成膜が可能となり、従来の250°C以上の高温高湿による熱分解MOCVD法における問題点である、配位子の分解による膜純度の悪化や、基板上でのAgの島状凝集による膜密度の低下を防止して、緻密で高純度のAg膜を効率的に成膜することができる。
Claim (excerpt)：
有機銀化合物の蒸気の分解により生じた銀を基板上に堆積させて銀膜を形成する方法において、該有機銀化合物の蒸気に波長240nm以上の光を照射して該有機銀化合物を分解させることを特徴とする高純度銀膜の形成方法。
IPC (3)：
C23C 16/18
, C23C 16/48
, C07F 1/10
