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J-GLOBAL ID：200903000139491721

バイポーラトランジスタの製造方法

Inventor： 藤川 一成 ,  皆川 俊一
Applicant, Patent owner： 日立電線株式会社
Agent (1)： 川澄 茂
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002036963
Publication number (International publication number)：2003243408
Application date： Feb. 14, 2002
Publication date： Aug. 29, 2003
Summary：

【要約】【課題】AsH3(アルシン)以外のV族原料を用いることで、HBTのベース層中の水素濃度を低減し、電流利得βの変動率を極力小さくすること。【解決手段】HBTのベース層をエピタキシャル成長させる際に、V族原料として有機金属であるAs(CH3)3(トリメチル砒素)又はTBA(ターシャリーブチルアルシン)を用いる。

Claim (excerpt)：

半絶縁性化合物半導体基板上に、III-V族化合物半導体結晶を気相エピタキシャル成長させて、サブコレクタ層、コレクタ層、ベース層、エミッタ層、エミッタコンタクト層、ノンアロイ層を有するヘテロ接合バイポーラトランジスタを製造する方法において、上記ベース層をエピタキシャル成長させる際に、V族原料として有機金属であるAs(CH3)3(トリメチル砒素)を用いることを特徴とするバイポーラトランジスタの製造方法。

IPC (3)：

H01L 21/331 ,  H01L 21/205 ,  H01L 29/737

FI (2)：

H01L 21/205 ,  H01L 29/72 H

F-Term (18)：

5F003AZ07 ,  5F003BA92 ,  5F003BB04 ,  5F003BE04 ,  5F003BF06 ,  5F003BM02 ,  5F003BM03 ,  5F003BP32 ,  5F003BZ03 ,  5F045AA04 ,  5F045AB10 ,  5F045AC07 ,  5F045AC08 ,  5F045AC09 ,  5F045AF04 ,  5F045BB16 ,  5F045CA02 ,  5F045DA52