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J-GLOBAL ID：200903000139749842

半導体装置の製造方法

Inventor： 中野 晴夫
Applicant, Patent owner： 三洋電機株式会社
Agent (1)： 西野 卓嗣
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992161299
Publication number (International publication number)：1993175123
Application date： Jun. 19, 1992
Publication date： Jul. 13, 1993
Summary：

【要約】【目的】 作製過程での厳密な平坦性管理の負担を軽減し、また電子濃度を直接的に決定可能にする。【構成】 GaAs基板1上にアンド-プGaAs層2a、2b、2c、2dと所定濃度のSiアトミックプレ-ナド-プ層3a、3b、3cとを所定層厚毎に繰り返し形成した後、フォ-カスドイオンビーム法、又は、反応性イオンビームエッチング法によって線状または島状に細分化する。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に、アンドープ半導体層とドープ薄層とを交互に複数層積層形成する工程と、前記アンドープ半導体層及びドープ薄層を電気的に遮断した状態の線状に成形する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2)：

H01L 21/20 ,  H01L 29/804