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J-GLOBAL ID：200903000146391520

パターン形成方法

Inventor： 東 和幸 ,  佐藤 康彦 ,  松永 範昭 ,  梶田 明広 ,  松山 日出人
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 鈴江 武彦 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998192934
Publication number (International publication number)：2000031118
Application date： Jul. 08, 1998
Publication date： Jan. 28, 2000
Summary：

【要約】【課題】 レジスト膜厚を薄くしても反射防止膜を所望の寸法で加工することが可能なパターン形成方法および半導体装置の製造方法を提供すること。【解決手段】 被加工膜上にシリコンとシリコンとの結合を主鎖に有する有機シリコン膜を形成する工程と、前記有機シリコン膜上にレジストパターンを形成する工程と、前記有機シリコン膜の前記レジストパターンに被覆されていない部分を選択的に酸化する工程と、前記有機シリコン膜の前記酸化された部分をエッチングマスクとして用いて、前記有機シリコン膜の前記レジストパターンに被覆された部分をエッチングする工程とを具備することを特徴とする。

Claim (excerpt)：

被加工膜上にシリコンとシリコンとの結合を主鎖に有する有機シリコン膜を形成する工程と、前記有機シリコン膜上にレジストパターンを形成する工程と、前記有機シリコン膜の前記レジストパターンに被覆されていない部分を選択的に酸化する工程と、前記有機シリコン膜の前記酸化された部分をエッチングマスクとして用いて、前記有機シリコン膜の前記レジストパターンに被覆された部分をエッチングする工程とを具備することを特徴とするパターン形成方法。

IPC (4)：

H01L 21/3065 ,  G03F 7/11 503 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/3213

FI (4)：

H01L 21/302 H ,  G03F 7/11 503 ,  H01L 21/30 574 ,  H01L 21/88 D

F-Term (49)：

2H025AA00 ,  2H025AA02 ,  2H025AB16 ,  2H025AC01 ,  2H025AC08 ,  2H025AD01 ,  2H025BD20 ,  2H025BD48 ,  2H025BF30 ,  2H025BH04 ,  2H025DA34 ,  2H025EA06 ,  2H025FA17 ,  2H025FA28 ,  2H025FA41 ,  5F004AA04 ,  5F004AA05 ,  5F004DA04 ,  5F004DA05 ,  5F004DA11 ,  5F004DA13 ,  5F004DA22 ,  5F004DA23 ,  5F004DA24 ,  5F004DA25 ,  5F004DA26 ,  5F004DA27 ,  5F004DB01 ,  5F004DB02 ,  5F004DB03 ,  5F004DB07 ,  5F004DB09 ,  5F004DB10 ,  5F004DB16 ,  5F004DB30 ,  5F004EA04 ,  5F004EA15 ,  5F004EA22 ,  5F033AA13 ,  5F033AA32 ,  5F033AA75 ,  5F033BA02 ,  5F033BA03 ,  5F033BA13 ,  5F033BA15 ,  5F033EA29 ,  5F046CA04 ,  5F046PA07 ,  5F046PA09