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J-GLOBAL ID：200903000154012813

半導体の製造方法及び検査方法並びにそのための装置

Inventor： 濱村 有一 ,  嶋瀬 朗 ,  水越 克郎 ,  本郷 幹雄 ,  東 淳三 ,  水村 通伸 ,  横山 夏樹 ,  石谷 亨
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 武 顕次郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996267273
Publication number (International publication number)：1998116872
Application date： Oct. 08, 1996
Publication date： May. 06, 1998
Summary：

【要約】【課題】 半導体の製造工程の途中段階で試料の断面を検査し、この試料を再び製造ラインに戻して、この試料の製造及び製造ラインに影響を与えずに製造を継続すること。【解決手段】 半導体ウエハの製造途中の任意の工程後に、半導体ウエハの断面を露出させるために局所的に加工する工程と、前記断面の検査を行う工程と、前記検査で不良と判断された場合、前記断面検査情報と、前記任意の工程までの製造来歴情報と、前記任意の工程までの異物やパターン等の検査情報と、設計情報と、に基づいて半導体ウエハの不良解析を行い、前記不良解析結果に基づいて前記任意の工程までの製造条件を修正する工程と、半導体ウエハの断面を露出させるために除去した部分を埋め込む工程と、からなり、前記任意の工程の次の工程に前記半導体ウエハを戻して製造を継続する半導体ウエハの製造方法。

Claim (excerpt)：

半導体ウエハの製造途中の任意の工程後に、前記半導体ウエハを局所的に加工し、前記半導体ウエハの加工面を検査し、前記半導体ウエハの加工した部分を埋め込み、前記任意の工程の次の工程に前記半導体ウエハを戻して製造を継続することを特徴とする半導体ウエハの製造方法。

IPC (3)：

H01L 21/66 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/31

FI (5)：

H01L 21/66 Z ,  H01L 21/66 A ,  H01L 21/66 J ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/31 A

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 集束イオンビーム加工方法及びその加工装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-035067   Applicant：株式会社日立製作所