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J-GLOBAL ID：200903000154357632

高周波デバイスの高周波特性を測定する方法

Inventor： 森 栄二
Applicant, Patent owner： 株式会社キャンドックスシステムズ
Agent (1)： 稲垣 仁義
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997106874
Publication number (International publication number)：1998300778
Application date： Apr. 24, 1997
Publication date： Nov. 13, 1998
Summary：

【要約】【課題】接点部分の高周波信号の反射を低減させて、測定誤差が生じないようにした高周波デバイスの高周波特性を測定する方法を提供する。【解決手段】電極と端子とを接続して、高周波デバイスの高周波特性を測定する方法において、前記電極の先端部分のみのインピ-ダンスを、伝送線路の特性インピ-ダンスに比べて低く設定することによって、前記電極と端子との接点部分の高周波信号の反射を低減させた。

Claim (excerpt)：

電極と端子とを接続して、高周波デバイスの高周波特性を測定する方法において、前記電極の先端部分のみのインピ-ダンスを、伝送線路の特性インピ-ダンスに比べて低く設定することによって、前記電極と端子との接点部分の高周波信号の反射を低減させることを特徴とする高周波特性を測定する方法。

IPC (3)：

G01R 1/06 ,  G01R 31/26 ,  H01P 1/00

FI (3)：

G01R 1/06 E ,  G01R 31/26 J ,  H01P 1/00 D