Pat
J-GLOBAL ID:200903000157118213
半導体集積回路及びそのアドレス/コマンド処理方法
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
佐々木 敦朗
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2009089421
Publication number (International publication number):2009272029
Application date: Apr. 01, 2009
Publication date: Nov. 19, 2009
Summary:
【課題】本発明は、アドレス及びコマンドが同時に入力されても、内部的に両信号間のマージンを確保することで、誤動作を防止できる半導体集積回路及びそのアドレス/コマンド処理方法を提供する。【解決手段】本発明は、同一のタイミングに伝送されたアドレス及びコマンドの入力が行われる入力部;入力されたアドレスのタイミングを既設定の内部信号処理タイミングマージンに応じて調整して、内部アドレスを出力するように構成される内部アドレス発生部;及び、入力されたコマンドのタイミングを調整して、内部アドレスと既設定の時間差を有する内部コマンドを出力するように構成される内部コマンド発生部を備えることを特徴とする。【選択図】図3
Claim 1:
アドレス及びコマンドの入力が行われる入力部;
前記入力されたアドレスのタイミングを既設定の内部信号処理タイミングマージンに応じて調整して、内部アドレスを出力するように構成される内部アドレス発生部;及び、
前記入力されたコマンドのタイミングを調整して、前記内部アドレスと既設定の時間差を有する内部コマンドを出力するように構成される内部コマンド発生部を備えることを特徴とする半導体集積回路。
IPC (3):
G11C 11/407
, G11C 11/417
, G11C 11/413
FI (4):
G11C11/34 362S
, G11C11/34 305
, G11C11/34 J
, G11C11/34 354C
F-Term (20):
5B015JJ15
, 5B015JJ24
, 5B015KB82
, 5B015MM03
, 5B015NN03
, 5M024AA24
, 5M024AA40
, 5M024BB27
, 5M024BB30
, 5M024DD80
, 5M024DD83
, 5M024GG20
, 5M024JJ02
, 5M024JJ04
, 5M024JJ28
, 5M024JJ32
, 5M024JJ35
, 5M024JJ59
, 5M024PP01
, 5M024PP07
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (3)
-
アクセスタイムを短縮できる半導体メモリ装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2004-089257
Applicant:株式会社ハイニックスセミコンダクター
-
半導体メモリ装置及びその動作方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2008-038228
Applicant:株式会社ハイニックスセミコンダクター
-
半導体集積回路
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2009-175733
Applicant:株式会社ハイニックスセミコンダクター
Return to Previous Page