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J-GLOBAL ID：200903000166122339
薄膜トランジスタおよびその製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
船橋 国則
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992024451
Publication number (International publication number)：1993190855
Application date： Jan. 14, 1992
Publication date： Jul. 30, 1993
Summary：
【要約】【目的】 本発明は、薄膜トランジスタの活性層にストレスをかけることなく当該活性層を水素化処理して、薄膜トランジスタの電気的特性として、例えばキャリア移動度特性の向上を図る。【構成】 多結晶シリコン領域41に形成した活性層43上にゲート絶縁膜46を介してゲート47を設けた薄膜トランジスタ42であって、ゲート47の側壁に窒化シリコン膜よりなるサイドウォール絶縁膜48,49を形成するとともに、当該サイドウォール絶縁膜48,49で活性層43を水素化処理したものである。あるいは、上記ゲート絶縁膜46を窒化シリコン膜で形成して、サイドウォール絶縁膜48,49とゲート絶縁膜46とで活性層43を水素化処理したものである。または上記サイドウォール絶縁膜48,49を酸化シリコン膜と窒化シリコン膜とで形成して、サイドウォール絶縁膜48,49で活性層43を水素化処理したものである。
Claim (excerpt)：
基板上に設けた多結晶シリコン領域と、前記多結晶シリコン領域に形成した活性層と、前記活性層の両側の前記多結晶シリコン領域に設けたソース・ドレイン領域と、前記活性層上にゲート絶縁膜を介して設けたゲートとにより構成されていて、前記活性層を水素化処理してなる薄膜トランジスタにおいて、前記ゲートの側壁に窒化シリコン膜よりなるサイドウォール絶縁膜を形成したことを特徴とする薄膜トランジスタ。
IPC (3)：
H01L 29/784
, H01L 27/12
, H01L 21/336
H01L 29/78 311 G
, H01L 29/78 311 Y
Cited by examiner (7)
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