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J-GLOBAL ID：200903000173975347
強誘電体の処理方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
鈴木 喜三郎 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992156457
Publication number (International publication number)：1993347229
Application date： Jun. 16, 1992
Publication date： Dec. 27, 1993
Summary：
【要約】【目的】特性劣化や寿命劣化の無い強誘電体素子を提供する。【構成】強誘電体の処理方法に関し、(1) 強誘電体を不活性雰囲気中にてアニール処理する。(2) 強誘電体を酸素雰囲気中にてアニール処理した後のアニール処理を、不活性雰囲気中にてアニール処理する事とする。【効果】 長寿命で、劣化の無い強誘電体素子を提供する事ができる。
Claim (excerpt)：
強誘電体を不活性雰囲気中にてアニール処理する事を特徴とする強誘電体の処理方法。
IPC (2)：
H01G 4/12 418
, H01L 21/324
