Pat

J-GLOBAL ID：200903000177260024

電界効果トランジスタの製造方法

Inventor： 渕上 宏幸 ,  津村 顯 ,  肥塚 裕至
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (1)： 高田 守 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991264313
Publication number (International publication number)：1993110069
Application date： Oct. 14, 1991
Publication date： Apr. 30, 1993
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】 電極の変質を防止するとともに、生産性に優れ、軽量で柔軟性に富む有機半導体薄膜を活性層として用いることのできる電界効果トランジスタの製造方法を得ることができる。【構成】 活性化処理により半導体となる有機薄膜11に活性化処理を施し有機半導体薄膜1とし、有機半導体薄膜1にソース電極2とドレイン電極3を形成し、ソース電極2とドレイン電極3間の導電率を制御するようにゲート電極7を形成する。

Claim (excerpt)：

活性化処理により半導体となる有機薄膜に活性化処理を施し有機半導体薄膜とする工程、上記有機半導体薄膜にソース電極およびドレイン電極を形成する工程、並びに上記ソース電極とドレイン電極間の導電率を制御するようにゲート電極を形成する工程を施す電界効果トランジスタの製造方法。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開昭62-085467
  
• 特開平1-207975
  
• 特開昭63-009157