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J-GLOBAL ID：200903000180038014

III族窒化物半導体光素子

Inventor：
笹岡 千秋

About 笹岡 千秋


Applicant, Patent owner：
日本電気株式会社

About 日本電気株式会社


Agent (1)： 速水 進治
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006001314
Publication number (International publication number)：2006121107
Application date： Jan. 06, 2006
Publication date： May. 11, 2006
Summary：
【課題】III族窒化物半導体を容易に加工することのできる技術により実現される新規な素子構造を提供する。【解決手段】半導体レーザは、p型GaNガイド層307と、p型GaNガイド層307上に形成された、AlN層である電流狭窄層308と、電流狭窄層308の開口部を埋め込むように形成されたp型クラッド層309とを有する。【選択図】 図3
Claim 1：
第一の層と、該第一の層上に形成された、開口部を有する第二の層と、該開口部を埋め込むように前記第一および第二の層上に形成された第三の層と、が積層された層構造を有し、前記第二の層がAlαGa1-αN(0≦α≦1)からなることを特徴とするIII族窒化物半導体光素子。
IPC (4)：
H01S 5/343 ,  H01L 29/812 ,  H01L 29/778 ,  H01L 21/338
FI (2)：
H01S5/343 610 ,  H01L29/80 H
F-Term (29)：
5F102FA01 ,  5F102FA03 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ10 ,  5F102GK04 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GM08 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR01 ,  5F102GR04 ,  5F102HC01 ,  5F102HC15 ,  5F102HC21 ,  5F173AA08 ,  5F173AA47 ,  5F173AF96 ,  5F173AH22 ,  5F173AP05 ,  5F173AP32 ,  5F173AP37 ,  5F173AP62 ,  5F173AP67 ,  5F173AQ12 ,  5F173AR24 ,  5F173AR82 ,  5F173AR92
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (5)
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Cited by examiner (3)

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