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J-GLOBAL ID：200903000180038014

III族窒化物半導体光素子

Inventor： 笹岡 千秋
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 速水 進治
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006001314
Publication number (International publication number)：2006121107
Application date： Jan. 06, 2006
Publication date： May. 11, 2006
Summary：

【課題】III族窒化物半導体を容易に加工することのできる技術により実現される新規な素子構造を提供する。【解決手段】半導体レーザは、p型GaNガイド層307と、p型GaNガイド層307上に形成された、AlN層である電流狭窄層308と、電流狭窄層308の開口部を埋め込むように形成されたp型クラッド層309とを有する。【選択図】 図3

Claim (excerpt)：

第一の層と、該第一の層上に形成された、開口部を有する第二の層と、該開口部を埋め込むように前記第一および第二の層上に形成された第三の層と、が積層された層構造を有し、前記第二の層がAlαGa1-αN(0≦α≦1)からなることを特徴とするIII族窒化物半導体光素子。

IPC (4)：

H01S 5/343 ,  H01L 29/812 ,  H01L 29/778 ,  H01L 21/338

FI (2)：

H01S5/343 610 ,  H01L29/80 H

F-Term (29)：

5F102FA01 ,  5F102FA03 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ10 ,  5F102GK04 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GM08 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR01 ,  5F102GR04 ,  5F102HC01 ,  5F102HC15 ,  5F102HC21 ,  5F173AA08 ,  5F173AA47 ,  5F173AF96 ,  5F173AH22 ,  5F173AP05 ,  5F173AP32 ,  5F173AP37 ,  5F173AP62 ,  5F173AP67 ,  5F173AQ12 ,  5F173AR24 ,  5F173AR82 ,  5F173AR92

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

• 窒化ガリウム系化合物半導体レーザ及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-189930   Applicant：株式会社東芝
• 半導体発光装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-328397   Applicant：富士通株式会社
• 半導体発光素子及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-034559   Applicant：松下電器産業株式会社

Cited by examiner (3)

• 窒化物系化合物半導体レーザ素子及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-058603   Applicant：シャープ株式会社
• 半導体発光装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-328397   Applicant：富士通株式会社
• 窒化物系半導体素子、窒化物系発光素子及び窒化物系半導体層の形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-219966   Applicant：三洋電機株式会社