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J-GLOBAL ID：200903000182287445
シリコン薄膜トランジスタ構造体およびそれを用いたアクティブマトリクス型液晶表示装置
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
志賀 正武 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994027053
Publication number (International publication number)：1995234418
Application date： Feb. 24, 1994
Publication date： Sep. 05, 1995
Summary：
【要約】【目的】 印刷法などの寸法ばらつきが大きいパターニング方法でも製造可能で、またアクティブマトリクス型液晶表示装置等にも適用し得る多結晶シリコン薄膜トランジスタ構造体。【構成】 ゲート電極と、多結晶シリコン薄膜とを有して構成される薄膜トランジスタの複数個が、その各ゲート電極を接続するゲート線と、各ソース部とドレイン部を接続する多結晶シリコン薄膜配線にて接続されてなるシリコン薄膜トランジスタ構造体において、ゲート線と多結晶シリコン薄膜配線が各薄膜トランジスタにて交差し、ゲート線を流れるゲート電流の電流方向と、多結晶シリコン薄膜配線を流れる薄膜配線電流の電流方向の交差方向が隣り合う薄膜トランジスタで交互することを特徴とする。【効果】 パターニングによる欠陥を無くすことができるため、高歩留まりかつ信頼性を向上させることができる。
Claim (excerpt)：
ゲート電極と、ソース部、ドレイン部およびチャンネル部を形成する多結晶シリコン薄膜とを有して構成される薄膜トランジスタの複数個が、その各ゲート電極を接続するゲート線と、各ソース部とドレイン部を接続する多結晶シリコン薄膜配線にて接続されてなるシリコン薄膜トランジスタ構造体において、前記ゲート線と前記多結晶シリコン薄膜配線が各薄膜トランジスタにて交差し、ゲート線を流れるゲート電流の電流方向と、多結晶シリコン薄膜配線を流れる薄膜配線電流の電流方向の交差方向が隣り合う薄膜トランジスタで交互することを特徴とするシリコン薄膜トランジスタ構造体。
IPC (2)：
G02F 1/136 500
, H01L 29/786
