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J-GLOBAL ID：200903000183979375

半導体装置

Inventor： 加藤 晃次
Applicant, Patent owner： セイコーエプソン株式会社
Agent (1)： 鈴木 喜三郎 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991165552
Publication number (International publication number)：1993013708
Application date： Jul. 05, 1991
Publication date： Jan. 22, 1993
Summary：

【要約】【目的】 強誘電体を用いたキャパシタが、能動素子が形成された同一半導体基板上に集積された半導体メモリにおいて、酸素を含む雰囲気中での熱処理による、素子特性の劣化を防ぐ。【構成】 図1において、強誘電体を用いたキャパシタの下部電極109と、半導体基板102との間の層に、応力を緩和するための膜としてほう素りんガラスの層106を設ける。その膜と前記キャパシタとの間の層に、前記ほう素りんガラスに開けられた接続孔107の側壁を覆うように、酸素非透過性の膜として窒化珪素の層108を設ける。

Claim (excerpt)：

強誘電体を用いたキャパシタが、能動素子が形成された同一半導体基板上に集積された半導体装置において、前記半導体基板と前記キャパシタとの間の層に、少なくとも絶縁性の酸素非透過膜の層を含むことを特徴とする半導体装置。