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J-GLOBAL ID：200903000194729443
半導体装置及びその製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
竹村 壽
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992148098
Publication number (International publication number)：1993326735
Application date： May. 14, 1992
Publication date： Dec. 10, 1993
Summary：
【要約】【目的】 高密度実装の半導体装置の小型化や薄型化等に対応するパッケ-ジ及びその製造方法を提供する。【構成】 活性領域が形成されたシリコンなどの半導体基板1自体を半導体装置のパッケ-ジもしくはパケ-ジの一部として利用する。半導体基板1のバンプ2にリ-ド3を接続してから、金属、絶縁体もしくは半導体などの上部基板4を、熱可塑性樹脂などの接着剤5を用いて、半導体基板1の表面に接着する。この上部基板4として、半導体素子などが形成された活性領域を有する半導体基板を用いるなら、半導体装置の高密度化が進む。
Claim (excerpt)：
半導体基板主面と、前記半導体基板主面に形成され、半導体素子が形成されている活性領域と、前記半導体基板主面上に配置され、前記半導体素子と電気的に接続されている複数のバンプと、前記半導体基板主面上に配置され、一端は、前記バンプに接続し、他端は、前記半導体基板主面の外に延在しているリ-ドと、前記半導体基板主面上に形成され、少なくとも前記活性領域、前記リ-ドの前記半導体基板主面上に配置されている部分及び前記バンプを覆う上部基板と、前記半導体基板主面と前記上部基板とを接着する電気絶縁性接着剤とを備え、前記半導体基板の前記活性領域以外の部分と前記上部基板とは、パッケ-ジとして用いることを特徴とする半導体装置。
IPC (2)：
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