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J-GLOBAL ID：200903000205477794

Nbジョセフソン接合装置およびその製造方法

Inventor： 諸橋 信一 ,  片岡 祐治
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 高橋 敬四郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992166408
Publication number (International publication number)：1994013666
Application date： Jun. 24, 1992
Publication date： Jan. 21, 1994
Summary：

【要約】【目的】 Nb/絶縁層/Nb構造を含む積層型Nbジョセフソン接合装置に関し、200°C程度の温度においても常伝導金属/Nb間の相互拡散が生じにくく、特性劣化の生じにくい積層型Nbジョセフソン接合装置を提供することを目的とする。【構成】 基板上に堆積した第1のNb層と、該第1のNb層上に形成された水素化Nb層と、該水素化Nb層上に堆積された常伝導金属と、該常伝導金属層上に形成された絶縁層と、該絶縁層上に堆積された第2のNb層とを備える。

Claim (excerpt)：

基板(1)上に堆積した第1のNb層(2)と、該第1のNb層(2)上に形成された水素化Nb層(3)と、該水素化Nb層(3)上に堆積された常伝導金属(4)と、該常伝導金属層(4)上に形成された絶縁層(5)と、該絶縁層(5)上に堆積された第2のNb層(6)とを備えた積層型Nbジョセフソン接合装置。

IPC (2)：

H01L 39/22 ZAA ,  H01L 39/24 ZAA