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J-GLOBAL ID：200903000211020186

高周波モジュール

Inventor： 礒部 敦 ,  武田 栄里子 ,  岡部 寛 ,  松本 秀俊 ,  田上 知紀 ,  田中 聡 ,  関根 健治
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 小川 勝男 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001295443
Publication number (International publication number)：2003100989
Application date： Sep. 27, 2001
Publication date： Apr. 04, 2003
Summary：

【要約】【課題】超音波素子と発熱の大きい半導体素子とを同一基板に高密度に実装することが可能な小型、高性能な高周波モジュールを提供すること。【解決手段】半導体素子と超音波素子にそれぞれ導電体(ビアホール)を用いた放熱構造を設けて、超音波素子と熱接地面との間の熱抵抗を半導体素子と超音波素子の間の熱抵抗よりも小さくし、半導体素子と超音波素子の間の最短距離を1mm〜5mmにする。半導体素子と超音波素子の間の基板部分に空洞を設けて、熱抵抗を半導体素子と超音波素子の間の熱抵抗を大きくする。

Claim (excerpt)：

電力増幅機能を有する半導体素子と、少なくとも一部が圧電体で構成された超音波素子と、該半導体素子及び該超音波素子をそれぞれ第1の金属層及び第2の金属層を介して保持する少なくとも1層の誘電体層からなる誘電体基板と、該誘電体基板を別の誘電体基板に固定した場合に該別の誘電体基板側となる該誘電体基板の面に設けた第3の金属層及び第4の金属層と、該第1の金属層と第3の金属層の間に設けた双方に接する第1の金属体と、該第2の金属層と第4の金属層の間に設けた双方に接する第2の金属体とを備え、該第1の金属層と該第3の金属層と該第1の金属体とは、該半導体素子の接地端子と電気的に接続されかつ該半導体素子の発する熱を該第3の金属層に伝える放熱構造をなし、該第2の金属層と該第4の金属層と該第2の金属体とは、該超音波素子の接地端子と電気的に接続されかつ該超音波素子の熱を該第4の金属層に伝える放熱構造をなしていることを特徴とする高周波モジュール。

IPC (4)：

H01L 25/16 ,  H01L 23/12 301 ,  H01L 23/522 ,  H04B 1/38

FI (4)：

H01L 25/16 A ,  H01L 23/12 301 J ,  H04B 1/38 ,  H01L 23/52 B

F-Term (4)：

5K011AA13 ,  5K011AA16 ,  5K011JA01 ,  5K011KA18