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J-GLOBAL ID:200903000216233218

フィードバック制御装置および半導体製造装置並びにその温度制御方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 梶原 辰也
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1999249703
Publication number (International publication number):2001075605
Application date: Sep. 03, 1999
Publication date: Mar. 23, 2001
Summary:
【要約】【課題】 フィードバック制御のオーバ(アンダ)シュートを抑制する。【解決手段】 熱処理炉20のヒータ21を制御するフィードバック制御装置は温度センサ22、減算部23、制御部24、ヒータ駆動装置25および目標値設定部26を有し、制御部24はPD演算部31、積分演算部32、加算部33、第一の出力制限部34、第二の出力制限部35および積分抑制部36を備えている。第二の出力制限部35は加算部33からの制御信号が「ヒータの温度を下降させる能力が小さい」許容出力範囲の0〜3%の場合に積分抑制部36によって積分演算部32の過剰な積分を防止させる。【効果】 過剰な積分を防止することで、制御量(温度)を迅速かつ正確に目標値へ変化させつつ、熱処理炉の温度におけるオーバシュートやアンダシュートを小さく抑制できるため、熱処理の品質、信頼性、製造歩留りを向上できる。
Claim (excerpt):
制御対象の制御量と目標値との偏差を少なくとも積分して制御信号を生成し、この制御信号を予め設定された第一の制限範囲により制限して制御対象への制御出力信号として出力するフィードバック制御装置において、前記制御信号が前記第一の制限範囲内であって、かつ、前記第一の制限範囲よりも小さい第二の制限範囲を超えた場合に前記積分を抑制する積分抑制部を備えていることを特徴とするフィードバック制御装置。
IPC (3):
G05B 11/36 501 ,  G05B 13/02 ,  H01L 21/22
FI (3):
G05B 11/36 501 P ,  G05B 13/02 B ,  H01L 21/22 Z
F-Term (14):
5H004GA03 ,  5H004GA11 ,  5H004GB15 ,  5H004HA01 ,  5H004HB01 ,  5H004KA54 ,  5H004KB02 ,  5H004KB04 ,  5H004KB06 ,  5H004KB13 ,  5H004KB32 ,  5H004KC39 ,  5H004KC53 ,  5H004LB10
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (1)
  • 制御装置
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平4-345323   Applicant:理化工業株式会社

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