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J-GLOBAL ID：200903000216519642
光半導体装置の製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
青木 朗 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991226125
Publication number (International publication number)：1993067848
Application date： Sep. 05, 1991
Publication date： Mar. 19, 1993
Summary：
【要約】【目的】 本発明は光半導体装置の製造方法に関し、ドライエッチングで回折格子を作製し有機金属気相成長法により結晶成長を行う場合にも、良好な素子特性の製品を安定して製造することができる光半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。【構成】 InP結晶基板上に回折格子、ガイド層、InGaAsまたはInGaAsP活性層、およびInPクラッド層を順次形成した後、該InPクラッド層上に、InGaAsまたはInGaAsPの下層と、該活性層よりもバンドギャップが広いInGaAsPまたはInPの上層とから成るダブルヘテロ構造を形成し、該ダブルヘテロ構造の下層(InGaAsまたはInGaAsP)のフォトルミネッセンス発光強度により、後工程の実行の可否を決定するように構成する。
Claim (excerpt)：
(1)InP結晶基板の表面を加工して、特定波長の光を選択的に伝播させるための回折格子として周期的凹凸を形成する工程、(2)上記回折格子上に、ガイド層、InGaAsまたはInGaAsP活性層、およびInPクラッド層を順次形成する工程、(3)上記InPクラッド層上に、InGaAsまたはInGaAsPの下層と、該活性層よりもバンドギャップが広いInGaAsPまたはInPの上層とを形成してダブルヘテロ構造を形成する工程、および(4)該ダブルヘテロ構造の下層を構成するInGaAsまたはInGaAsPのフォトルミネッセンス発光強度を実測し、得られた実測値を判別指標値として、所定の光半導体装置を完成させるために必要な後工程の実行の可否を決定する工程、を含むことを特徴とする光半導体装置の製造方法。
IPC (3)：
H01S 3/18
, G02B 6/12
, H05B 33/02
