有機半導体材料、有機半導体膜、有機半導体デバイス及び有機薄膜トランジスタ

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Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005253232
Publication number (International publication number)：2007067263
Application date： Sep. 01, 2005
Publication date： Mar. 15, 2007
Summary：

【課題】簡単なプロセスで製造され、トランジスタとしての特性が良好であり、さらに経時劣化が抑えられた有機半導体材料、それを用いた有機半導体膜、有機半導体デバイス及び有機薄膜トランジスタを提供することである。【解決手段】下記一般式(1)で表される部分構造を有する化合物であることを特徴とする有機半導体材料。【化1】(式中、X1及びX2は互いに独立してS(硫黄原子)、O(酸素原子)またはNRa(アミン)を表し、Raは水素原子または置換基を表し、R1〜R4は互いに独立して水素原子または置換基を表す。mは0または1以上の整数を表す。Arは置換または無置換の1つまたは2つ以上のアリーレン基またはヘテロアリーレン基を有する不飽和炭化水素を表す。)【選択図】なし

Claim 1：

下記一般式(1)で表される部分構造を有する化合物であることを特徴とする有機半導体材料。

IPC (6)：

H01L 51/30 , H01L 29/786 , H01L 51/05 , H01L 51/40 , C08G 61/12 , C07D 495/04

FI (8)：

H01L29/28 250H , H01L29/78 618B , H01L29/28 100A , H01L29/28 250G , H01L29/28 250F , H01L29/28 310J , C08G61/12 , C07D495/04 101

F-Term (42)：

4C071AA01 , 4C071AA08 , 4C071BB01 , 4C071BB05 , 4C071CC22 , 4C071EE13 , 4C071FF23 , 4C071GG02 , 4C071HH01 , 4C071LL07 , 4J032BA02 , 4J032BB04 , 4J032BC01 , 5F110AA01 , 5F110AA14 , 5F110BB01 , 5F110CC01 , 5F110CC03 , 5F110CC05 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE07 , 5F110EE42 , 5F110EE43 , 5F110EE44 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF27 , 5F110GG05 , 5F110GG42 , 5F110HK01 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK07 , 5F110HK32 , 5F110NN72 , 5F110NN73

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (12)

有機薄膜トランジスタ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-215748 Applicant：旭化成工業株式会社
ポリチオフェン類を用いたデバイス
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-006210 Applicant：ゼロックス・コーポレーション
ポリチオフェン類
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-004785 Applicant：ゼロックス・コーポレーション

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Cited by examiner (2)

新規なベンゾジカルコゲノフェン誘導体、その製造方法およびそれを用いた有機半導体デバイス
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-397788 Applicant：独立行政法人科学技術振興機構
有機半導体材料、有機トランジスタ、電界効果トランジスタ、スイッチング素子及び5員複素環化合物
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2004-016906 Applicant：コニカミノルタホールディングス株式会社

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

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