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J-GLOBAL ID：200903000218790629

ドライエッチング方法

Inventor： 大岩 徳久 ,  堀岡 啓治
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992278921
Publication number (International publication number)：1994132252
Application date： Oct. 16, 1992
Publication date： May. 13, 1994
Summary：

【要約】【目的】シリコン窒化膜上に形成されたシリコン酸化膜を選択的にエッチングできるドライエッチング方法を提供すること。【構成】Si3 N4 膜5上にBPSG2 膜6を形成する工程と、BPSG2 膜6上にフォトレジストパターン7を形成する工程と、CHF3 ガスとCOガスとを含むエッチングガスをプラズマ状態にすると共に、温度が90°C以上、且つ圧力が40mTorr乃至100mTorr、且つCHF3 ガスとCOガスとの混合ガスの流量に対するCOガスの流量の比が40%乃至80%の条件で、混合ガスのプラズマによりフォトレジストパターン7をマスクとしてBPSG膜6を選択的にエッチングする工程とを備えている。

Claim (excerpt)：

シリコン窒化膜上に酸化膜を形成する工程と、この酸化膜をドライエッチングすると共に、このドライエッチング中に露出する前記シリコン窒化膜の表面にSi-C結合を含む物質を形成する工程とを有することを特徴とするドライエッチング方法。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

• 特開昭64-010628
  
• 特開平4-211120
  
• 特開昭59-169151
  
• 特開昭54-086482
  
• 特開平4-258117