半導体集積回路装置およびその製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：筒井大和
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995192723
Publication number (International publication number)：1997045766
Application date： Jul. 28, 1995
Publication date： Feb. 14, 1997
Summary：

【要約】【目的】高濃度のホウ素を含むBPSG膜を用いて平坦な層間絶縁膜を形成するデバイスにおいて、BPSG膜と他の絶縁膜との界面に発生したクラックを通じて水分などの異物がチップ内部に達するのを防止する。【構成】半導体チップ1の主面の外周部に沿って形成されたガードリングGRのさらに外側に、その底部が少なくとも層間絶縁膜23とその下層のBPSG膜20との界面よりも深い位置まで達するスリットSを形成し、高濃度のホウ素を含むBPSG膜20と層間絶縁膜23との界面に発生したクラックがこの界面に沿ってチップ内部へと進行するのをスリットSにより阻止する。

Claim (excerpt)：

半導体チップ上に堆積した層間絶縁膜の一部を、ホウ素を含有する酸化シリコン膜で構成した半導体集積回路装置であって、前記ホウ素を含有する酸化シリコン膜とその上層に堆積された層間絶縁膜との界面よりも深いスリットを前記半導体チップの周辺部に沿って設けたことを特徴とする半導体集積回路装置。

IPC (6)：

H01L 21/768 , H01L 27/04 , H01L 21/822 , H01L 27/08 331 , H01L 27/108 , H01L 21/8242

FI (6)：

H01L 21/90 R , H01L 27/08 331 B , H01L 27/04 C , H01L 27/10 621 A , H01L 27/10 681 F , H01L 27/10 681 B

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

半導体集積回路装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-317935 Applicant：株式会社日立製作所, 株式会社日立マイコンシステム
半導体デバイスのクラックストップ形成方法及び半導体デバイス
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-293707 Applicant：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
特開平4-279050

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