Pat
J-GLOBAL ID：200903000226894115

半導体シミュレーション装置とその方法および半導体シミュレーション制御プログラムを記録した機械読み取り可能な記録媒体

Inventor：
冨田 学

About 冨田 学


Applicant, Patent owner：
ソニー株式会社

About ソニー株式会社


Agent (1)： 佐藤 隆久
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997361463
Publication number (International publication number)：1999195577
Application date： Dec. 26, 1997
Publication date： Jul. 21, 1999
Summary：
【要約】【課題】レジスト寸法の不良原因を究明する一連の作業は、複数のプログラムを利用し途中でデータ変換などの処理を介するため、処理時間がかかる。【解決手段】パタンデータブラウザ100に半導体のパターンデータを入力し、所定の領域のパターンデータを抽出する。一方で、パラメータ選択モジュール120を起動し、シミュレーションを行うためのパラメータを設定する。この抽出されたパターンデータに対して、設定されたパラメータを用いてシミュレーションモジュール160で電子線リソグラフィーシミュレーションが行われ、結果が結果表示モジュール170に表示される。これらの各処理に対する指示は、オペレーションモジュール180におけるGUI環境下で行われる。また、各モジュール間のデータ形式の調整もオペレーションモジュール180が行う。
Claim (excerpt)：
半導体装置の所定のパターンデータより、所定の領域のパターンデータを抽出するパターンデータ抽出手段と、当該半導体装置の所定の製造プロセスに係わる所定のシミュレーションを行うための、パラメータを設定するパラメータ設定手段と、前記抽出されたパターンデータに対して、前記設定されたパラメータを用いて、前記シミュレーションを行うシミュレーション手段と、前記シミュレーションの結果を表示するシミュレーション結果表示手段と、前記各手段の前記各処理に係わる指示が入力される入力手段を有し、当該各処理が適切に行えるように前記各手段を制御する制御手段とを有する半導体シミュレーション装置。
FI (3)：
H01L 21/30 502 Z ,  H01L 21/30 502 G ,  H01L 21/30 502 V
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (2)

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM