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J-GLOBAL ID：200903000228323271

半導体ウエーハの酸化方法

Inventor： 藤巻 延嘉
Applicant, Patent owner： 信越半導体株式会社
Agent (1)： 志波 邦男 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993192726
Publication number (International publication number)：1995022410
Application date： Jul. 06, 1993
Publication date： Jan. 24, 1995
Summary：

【要約】【目的】 半導体ウエーハ上に高品質の酸化膜を再現性よく形成する。【構成】 半導体ウエーハを熱処理炉にて酸化及び必要に応じてアニール処理して酸化膜を形成した後、前記ウエーハを前記熱処理炉から取り出す際に、該熱処理炉へ送り込む雰囲気ガスに水蒸気を含ませ、雰囲気ガスの隙間線速を200cm/min以上とする。ウエーハを取り出す際の雰囲気ガスが水蒸気を含まない乾燥ガスの場合は、水素を含む雰囲気による熱処理を追加して行う。

Claim (excerpt)：

半導体ウエーハを熱処理炉にて酸化する方法において、前記酸化処理後に前記半導体ウエーハを前記熱処理炉から取り出す際に、該熱処理炉から炉外へ流出させる雰囲気ガスを水蒸気を含むガスとし、且つ該雰囲気ガスの流量を前記熱処理炉の内径と該熱処理炉に収容した前記半導体ウエーハとの間の隙間断面積で割った値(以下「隙間線速」と言う。)を200cm/min以上とすることを特徴とする半導体ウエーハの酸化方法。