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J-GLOBAL ID:200903000230745132
エッチング処理方法およびその装置
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
杉谷 勉
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2000206182
Publication number (International publication number):2002025973
Application date: Jul. 07, 2000
Publication date: Jan. 25, 2002
Summary:
【要約】【課題】 エッチング選択性をさらに向上できるエッチング処理方法およびその装置を提供することを目的とする。【解決手段】 本発明のエッチング処理装置は、内部に収納された基板Wを処理液の蒸気でエッチング処理を行うための処理室1と、この処理室1に処理液の蒸気を供給する供給部2とを有し、基板Wに形成された複数種の膜のうちの特定の膜を処理液の蒸気で選択的にエッチングするエッチング処理装置において、処理室1内を減圧雰囲気にする圧力制御部30と、基板Wの温度を特定の膜のエッチングレートが他の膜のエッチングレートに比べて大きくなる温度範囲内に制御する温度制御部141とを備える。
Claim (excerpt):
基板に形成された複数種の膜のうちの特定の膜を処理液の蒸気でエッチング処理を行うエッチング処理方法において、減圧雰囲気で特定の膜のエッチングレートが他の膜のエッチングレートに比べて大きくなる温度範囲内で、前記特定の膜を選択的にエッチング処理を行うことを特徴とするエッチング処理方法。
IPC (2):
FI (2):
C23F 1/12
, H01L 21/302 P
F-Term (21):
4K057WA10
, 4K057WA13
, 4K057WB15
, 4K057WB20
, 4K057WE07
, 4K057WM17
, 4K057WN01
, 5F004AA05
, 5F004BA19
, 5F004BB18
, 5F004BB26
, 5F004CA04
, 5F004DA00
, 5F004DA20
, 5F004DA25
, 5F004DB03
, 5F004DB04
, 5F004DB05
, 5F004DB06
, 5F004DB07
, 5F004EA34
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (2)
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ハードトレンチマスクの除去方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平6-161714
Applicant:テキサスインスツルメンツインコーポレイテツド
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エッチング方法および装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-327907
Applicant:日本電気株式会社, 日本エー・エス・エム株式会社
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