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J-GLOBAL ID：200903000232269940

高速のフリップフロップ及びそれを利用した複合ゲート

Inventor：
金 ▲ミン▼ 修

About 金 ▲ミン▼ 修


Applicant, Patent owner：
三星電子株式会社

About 三星電子株式会社


Agent (1)： 萩原 誠
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005109237
Publication number (International publication number)：2005304026
Application date： Apr. 05, 2005
Publication date： Oct. 27, 2005
Summary：
【課題】高速のフリップフロップ及びそれを利用した複合ゲートを提供する。【解決手段】第1PMOSトランジスタ及び第2NMOSトランジスタのゲートは、入力データに連結され、第3NMOSトランジスタのゲートは、クロックパルス信号に連結され、第1PMOSトランジスタと第2NMOSトランジスタとの間の第1中間ノードは、第1ラッチによりそのロジックレベルがラッチされ、電源電圧と接地電圧との間に直列連結される第4PMOSトランジスタ、第5NMOSトランジスタ及び第6NMOSトランジスタを含むフリップフロップである。第4PMOSトランジスタ及び第5NMOSトランジスタのゲートは、第1中間ノードに連結され、第6NMOSトランジスタのゲートは、クロックパルス信号に連結され、第4PMOSトランジスタと第5NMOSトランジスタとの間の第2中間ノードは、第2ラッチによりそのロジックレベルが維持される。【選択図】図3
Claim (excerpt)：
電源電圧がそのソースに連結され、入力データがそのゲートに印加される第1 PMOSトランジスタと、 前記第1 PMOSトランジスタのドレインがそのドレインに連結され、前記入力データがそのゲートに印加される第2 NMOSトランジスタと、 前記第2 NMOSトランジスタのソースがそのドレインに連結され、クロックパルス信号がそのゲートに連結され、接地電圧がそのソースに連結される第3 NMOSトランジスタと、 前記第1 PMOSトランジスタと前記第2 NMOSトランジスタとの間の第1ノード、及び前記第2 NMOSトランジスタと前記第3 NMOSトランジスタとの間の第2ノードのレベルをラッチする第1ラッチと、 前記電源電圧がそのソースに連結され、前記第1ノードがそのゲートに連結される第4 PMOSトランジスタと、 前記第4 PMOSトランジスタのドレインがそのドレインに連結され、前記第1ノードがそのゲートに連結される第5 NMOSトランジスタと、 前記第5 NMOSトランジスタのソースがそのドレインに連結され、前記クロックパルス信号がそのゲートに連結され、前記接地電圧がそのソースに連結される第6 NMOSトランジスタと、 前記第4 PMOSトランジスタと前記第5 NMOSトランジスタとの間の第3ノードのレベルをラッチする第2ラッチと、を備えることを特徴とするフリップフロップ。
IPC (3)：
H03K3/3562 ,  H03K5/1532 ,  H03K19/20
FI (3)：
H03K3/356 C ,  H03K19/20 ,  H03K5/00 E
F-Term (20)：
5J034AB04 ,  5J034CB02 ,  5J034DB03 ,  5J034DB08 ,  5J039AB02 ,  5J039KK09 ,  5J039KK10 ,  5J039KK13 ,  5J039LL00 ,  5J039MM03 ,  5J039NN06 ,  5J042BA19 ,  5J042CA08 ,  5J042CA12 ,  5J042CA14 ,  5J042CA15 ,  5J042CA22 ,  5J042CA23 ,  5J042CA28 ,  5J042DA03
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (5)
  • 特許第6717442号
  • CPフリップフロップ
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-296617   Applicant：三星電子株式会社
  • 特許第6617902号
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Article cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
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