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J-GLOBAL ID：200903000235263217

サファイア基板へのバッファ層付き酸化物超伝導薄膜の製造方法及び装置

Inventor： 道上 修 ,  道上 洋子
Applicant, Patent owner： 科学技術振興事業団
Agent (1)： 清水 守
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002216643
Publication number (International publication number)：2004063562
Application date： Jul. 25, 2002
Publication date： Feb. 26, 2004
Summary：

【課題】矩形状の整然とした粒界を有する超伝導薄膜が形成されるサファイア基板へのバッファ層付き酸化物超伝導薄膜の製造方法及び装置を提供する。【解決手段】サファイア基板へのバッファ層付き酸化物超伝導薄膜の製造方法において、R面サファイア基板1上にCeO2 からなる第1のバッファ層2を形成し、次いで、Sm2(1-x)Gd2xO3 (0≦x≦1)からなる第2のバッファ層3を形成し、次いで、超伝導薄膜4を形成する。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

サファイア基板へのバッファ層付き酸化物超伝導薄膜の製造方法において、 (a)R面サファイア基板上にCeO2 からなる第1のバッファ層を形成し、 (b)次いで、Sm2(1-x)Gd2xO3 (0≦x≦1)からなる第2のバッファ層を形成し、 (c)次いで、酸化物超伝導薄膜を形成することを特徴とするサファイア基板へのバッファ層付き酸化物超伝導薄膜の製造方法。

IPC (3)：

H01L39/24 ,  H01B12/06 ,  H01B13/00

FI (4)：

H01L39/24 W ,  H01L39/24 D ,  H01B12/06 ,  H01B13/00 565D

F-Term (12)：

4M113AD35 ,  4M113AD36 ,  4M113BB11 ,  4M113CA31 ,  4M113CA44 ,  5G321AA01 ,  5G321CA05 ,  5G321CA21 ,  5G321CA24 ,  5G321CA27 ,  5G321CA46 ,  5G321CA53