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J-GLOBAL ID：200903000235748156

窒化ガリウム層の製造方法

Inventor： 酒井 士郎
Applicant, Patent owner： 酒井 士郎 ,  徳島酸素工業株式会社
Agent (1)： 吉田 研二 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000404170
Publication number (International publication number)：2002184696
Application date： Dec. 13, 2000
Publication date： Jun. 28, 2002
Summary：

【要約】【課題】 原料を昇華させてGaN結晶を基板上に成長させる方法において、製造コストを抑制して高品質の膜を得る。【解決手段】 サファイア基板2上に900度以下の成長温度で第1層のGaN層100を形成し、その後1000度以上の成長温度で第2層のGaN層102を形成する。900度以下でも結晶核を生成でき、かつその密度を大きくすることができ、第2層のGaN層102を平坦化できる。これにより、基板2を前処理する必要が無く製造コストを抑制できる。

Claim (excerpt)：

原料を昇華させて原料ガス存在下において加熱基板上に窒化ガリウム層を成長させる方法であって、前記基板を900度以下で加熱して窒化ガリウム層を成長させる第1ステップと、前記第1ステップ後に前記基板を1000度以上で加熱して窒化ガリウム層を成長させる第2ステップと、を有することを特徴とする窒化ガリウム層の製造方法。

IPC (5)：

H01L 21/20 ,  C23C 16/34 ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00 ,  H01S 5/323 610

FI (5)：

H01L 21/20 ,  C23C 16/34 ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00 C ,  H01S 5/323 610

F-Term (41)：

4K030AA13 ,  4K030BA38 ,  4K030BB13 ,  4K030CA05 ,  4K030EA01 ,  4K030FA10 ,  4K030JA10 ,  4K030LA14 ,  5F041AA40 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA64 ,  5F045AA03 ,  5F045AC12 ,  5F045AD04 ,  5F045AD05 ,  5F045AD06 ,  5F045AD07 ,  5F045AD08 ,  5F045AD09 ,  5F045AD10 ,  5F045AD11 ,  5F045AD12 ,  5F045AD13 ,  5F045AD14 ,  5F045AD15 ,  5F045AD16 ,  5F045AD17 ,  5F045AD18 ,  5F045BB08 ,  5F045CA09 ,  5F052AA11 ,  5F052CA02 ,  5F052DA04 ,  5F052DB06 ,  5F052GA02 ,  5F052JA07 ,  5F052KA01 ,  5F073CA07 ,  5F073DA04 ,  5F073DA35