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J-GLOBAL ID:200903000240694170
半導体発光素子の光量制御方法、露光装置及び画像形成装置
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2001061685
Publication number (International publication number):2002254704
Application date: Mar. 06, 2001
Publication date: Sep. 11, 2002
Summary:
【要約】 (修正有)【課題】 半導体発光素子はその発光時に発熱し、発熱に起因した発光光量の変動を起こし、光量むらを生ずるという問題を解決する。【解決手段】 画像データの有り・無しでアップ・ダウンカウントするアップダウンカウンタ20の出力を用いて半導体発光素子の駆動電流を制御する。画像信号により駆動電流をオン・オフして半導体発光素子を発光させるとともに、画像信号に基づいてアップダウンカウンタ20を作動させ、画像信号から形成された制御信号の有りでアップカウントを行い、制御信号の無しでダウンカウントを行う。アップダウンカウンタ20を主走査同期信号によりリセットし、カウント値をD/A変換し、D/A変換して形成した電圧により駆動電流又はバイアス電流を制御する。
Claim (excerpt):
画像信号により駆動電流をオン・オフして半導体発光素子を発光させるとともに、画像信号に基づいてアップダウンカウンタを作動させ、該アップダウンカウンタのカウント値に基づいて前記半導体発光素子の前記駆動電流又はバイアス電流を制御することを特徴とする半導体発光素子の光量制御方法。
IPC (9):
B41J 2/44
, B41J 2/45
, B41J 2/455
, G03G 15/043
, G03G 15/04
, H01S 5/068
, H04N 1/036
, H04N 1/113
, H04N 1/23 103
FI (7):
H01S 5/068
, H04N 1/036 Z
, H04N 1/23 103 Z
, B41J 3/00 M
, B41J 3/21 L
, G03G 15/04 120
, H04N 1/04 104 A
F-Term (45):
2C162AE04
, 2C162AE09
, 2C162AE20
, 2C162AE28
, 2C162AF13
, 2C162AF20
, 2C162AF29
, 2C162AF70
, 2C162AF89
, 2C162AF97
, 2C162AF98
, 2C162FA04
, 2C162FA17
, 2C162FA18
, 2C362AA03
, 2C362AA52
, 2C362AA55
, 2C362AA56
, 2C362AA61
, 2C362AA63
, 2H076AB05
, 2H076AB42
, 2H076DA10
, 2H076DA11
, 2H076DA17
, 5C051AA02
, 5C051CA08
, 5C051DB07
, 5C051DE03
, 5C072AA03
, 5C072CA06
, 5C072HA13
, 5C072HB02
, 5C072UA05
, 5C072UA14
, 5C074BB03
, 5C074CC26
, 5C074DD08
, 5C074EE06
, 5C074EE11
, 5C074EE14
, 5C074GG02
, 5F073BA09
, 5F073EA15
, 5F073GA02
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