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J-GLOBAL ID：200903000241340835
炭化珪素バルク単結晶の製造方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
野河 信太郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992161226
Publication number (International publication number)：1994001698
Application date： Jun. 19, 1992
Publication date： Jan. 11, 1994
Summary：
【要約】【目的】 結晶性及び均質性に優れた炭化珪素単結晶を再現性良く得ることを目的とする。【構成】 種結晶を用いた昇華再結晶法により炭化珪素単結晶を成長させる際に、原料炭化珪素粉末に遷移金属の珪素化合物を添加することのより、成長とともに変化するSi蒸気圧を一定に保ち、Siの枯渇による成長の不均質性及び炭素に起因する欠陥等を防止し、バルク炭化珪素単結晶の結晶性及び均質性を向上させる。
Claim (excerpt)：
昇華再結晶法によって、種結晶上に炭化珪素単結晶を成長させる炭化珪素バルク単結晶の製造方法において、炭化珪素粉末に遷移金属の珪素化合物を添加することを特徴とする炭化珪素バルク単結晶の製造方法。
IPC (2)：
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