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J-GLOBAL ID：200903000244436132
半導体ウェーハの研磨方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
小林 英一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992313607
Publication number (International publication number)：1994099347
Application date： Nov. 24, 1992
Publication date： Apr. 12, 1994
Summary：
【要約】【目的】 ラッピング盤を用いて半導体ウェーハを研磨する際の平坦度のよい研磨方法を提供する。【構成】 相互に回転する上定盤4と下定盤1からなるラッピング盤を用いてキャリア2に挿入された半導体ウェーハ3を挟圧して研磨する際に、用いるキャリア2の厚み(tC )を半導体ウェーハ3の厚み(tW )よりも0.35tW μm 以上薄くすることにより、上定盤4の垂れ現象を抑制して、平坦度のよい半導体ウェーハを得ることができる。
Claim (excerpt)：
相互に回転する上定盤と下定盤からなるラッピング盤を用いてキャリアに挿入した半導体ウェーハを挟圧した状態で研磨するに際し、前記半導体ウェーハの厚さをtW μm とした場合、該半導体ウェーハの厚さとの差が0.35tW μm 以下とされる厚さのキャリアを用いることを特徴とする半導体ウェーハの研磨方法。
IPC (2)：
B24B 37/04
, H01L 21/304 321
