半導体記憶装置

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：志賀正武
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997204907
Publication number (International publication number)：1999045594
Application date： Jul. 30, 1997
Publication date： Feb. 16, 1999
Summary：

【要約】【課題】ノーマルアクセスモードにおいてセンスアンプが動作するときのピーク電流を抑制し高速アクセスができる半導体記憶装置を実現する。【解決手段】電流能力の異なる2種類のセンスアンプ200、201に対し、ATD回路105より発生したワンショットパルス信号を任意のパルス幅に整形するセンスアンプ制御回路145により活性化動作タイミングの差を設け、ページデコーダ回路102とセンスアンプセレクタ150及びびラッチセレクタ152により、ノーマルアクセスモード時とページアクセスモード時にメモリセルマトリクスより読み出されるデータの経路を変更することと、センスアンプをタイミング制御するセンスアンプ制御回路145とを具備する。

Claim (excerpt)：

複数のメモリセルと、該複数のメモリセルに接続されるデジット線群と、該複数のデジット線群のうちの1本あるいは複数のデジット線を選択するYセレクタと、該Yセレクタを経由して読み出されたデータを増幅する複数のセンスアンプと、該複数のセンスアンプのうちの一つのセンスアンプから出力バッフアにデータを選択し伝達するセレクタと、前記複数のセンスアンプ及びセレクタを制御する制御回路とを備え、ページアクセスモード機能を有する半導体記憶装置において、前記複数のセンスアンプに対し異なるディメンジョンのノーマルアクセスモード動作時に読み出されるデータをセンスするノーマルアクセス用センスアンプと、ページアクセスモード動作時に読み出されるデータをセンスするページアクセス用センスアンプとを備え、前記制御回路は、ノーマルアクセスモード動作時に活性化するセンスアンプの選択切り換えを行うことを特徴とする半導体記憶装置。

IPC (3)：

G11C 17/18 , G11C 16/02 , G11C 16/06

FI (3)：

G11C 17/00 306 , G11C 17/00 613 , G11C 17/00 634 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

半導体記憶装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-193281 Applicant：株式会社東芝, 東芝マイクロエレクトロニクス株式会社
半導体記憶装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-137928 Applicant：シャープ株式会社
半導体記憶装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-194012 Applicant：東芝マイクロエレクトロニクス株式会社, 株式会社東芝

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