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J-GLOBAL ID:200903000244683075

発光素子及びその製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (10): 前田 弘 ,  小山 廣毅 ,  竹内 宏 ,  嶋田 高久 ,  竹内 祐二 ,  今江 克実 ,  藤田 篤史 ,  二宮 克也 ,  原田 智雄 ,  井関 勝守
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2005088368
Publication number (International publication number):2006269912
Application date: Mar. 25, 2005
Publication date: Oct. 05, 2006
Summary:
【課題】コンタクト抵抗が低く且つ発光光の反射率が高い電極を備えた高輝度の発光素子を実現できるようにする。【解決手段】基板1の上にn型のGaNからなるn型コンタクト層2が形成されている。n型コンタクト層2の一部を露出させるように、n型コンタクト層2の上には、n型のAlGaNからなるn型クラッド層3と、発光層4と、p型のAlGaNからなるp型クラッド層5と、p型のGaNからなるp型コンタクト層6とが順次積層されている。p型コンタクト層6の上には厚さが150nmのAgからなる光学反射金属膜7と、厚さが100nmのWからなる拡散防止金属膜8と、厚さが150nmのAuからなるカバー金属膜9とが順次積層されたp型電極12が形成されている。n型コンタクト層2の露出部分にはTi、Al、Ni及びAuが順次積層されたn型電極13が形成されている。【選択図】 図1
Claim (excerpt):
発光層を含む半導体層積層体と、 前記発光層からの発光光を前記半導体層積層体の外部へ取り出す面とは逆の面上に形成され、前記発光光を反射する光学反射金属膜と、 前記光学反射金属膜の上に形成され、前記光学反射金属膜の剥離を防止するカバー金属膜と、 前記光学反射金属膜と前記カバー金属膜との間に形成され且つ前記光学反射金属膜と前記カバー金属膜との間の相互拡散を防止する拡散防止金属膜とを備え、 前記拡散防止金属膜は、タングステン、レニウム及びタンタルのうちのいずれか1つからなる単層膜又は2つ以上からなる積層膜であることを特徴とする発光素子。
IPC (1):
H01L 33/00
FI (1):
H01L33/00 C
F-Term (6):
5F041AA03 ,  5F041AA24 ,  5F041CA40 ,  5F041CA86 ,  5F041CA87 ,  5F041CA92
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (2)

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