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J-GLOBAL ID：200903000258399353

無電解メッキによる集積回路の配線方法

Inventor：
小山 哲雄

About 小山 哲雄


Applicant, Patent owner：
株式会社明電舎

About 株式会社明電舎


Agent (1)： 志賀 富士弥 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994111622
Publication number (International publication number)：1995321111
Application date： May. 26, 1994
Publication date： Dec. 08, 1995
Summary：
【要約】【目的】 集積回路における微細配線中に原子空孔とかボイドが発生せず、且つストレスによる断線を防止するとともに耐エレクトロマイグレーション性に優れた集積回路の配線方法を提供することを目的とする。【構成】 シリコン基板1上に形成された酸化けい素膜2にエッチング法によりコンタクトホール3を開口した後、該コンタクトホール3を含む上面から酸化亜鉛層を形成し、この酸化亜鉛よりもイオン化傾向の小さい金属を溶解した水溶液中に浸漬することにより、無電解メッキ法の原理により酸化亜鉛を溶解しながら金属層を還元析出させて導電体としての金属層11に変換し、該金属層11の上面に配線材となる金属を電気メッキもしくは無電解メッキ手段により付着して配線層12を形成するようにした無電解メッキによる集積回路の配線方法を提供する。
Claim (excerpt)：
シリコン基板上に形成された酸化けい素膜にエッチング法によりコンタクトホールを開口した後、該コンタクトホールを含む上面から酸化亜鉛層を形成し、この酸化亜鉛よりもイオン化傾向の小さい金属を溶解した水溶液中に浸漬することにより、無電解メッキ法の原理により酸化亜鉛を溶解しながら金属層を還元析出させて、上記酸化亜鉛層を導電体としての金属層に変換し、該金属層の上面に配線材となる金属を電気メッキもしくは無電解メッキ手段により付着して配線層を形成したことを特徴とする無電解メッキによる集積回路の配線方法。
IPC (5)：
H01L 21/3205 ,  C23C 18/18 ,  C23C 18/42 ,  C23C 18/52 ,  H01L 21/768
FI (3)：
H01L 21/88 B ,  H01L 21/88 M ,  H01L 21/90 D
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (5)
  • 特開平4-202672
  • 特開平4-343455
  • 薄膜配線の形成方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-017129   Applicant：日本電気株式会社
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