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J-GLOBAL ID：200903000259947214

半導体装置

Inventor： 国分 政利 ,  西薗 和則
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 岡本 啓三
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992157083
Publication number (International publication number)：1994005842
Application date： Jun. 16, 1992
Publication date： Jan. 14, 1994
Summary：

【要約】【目的】本発明は、ショットキバリアダイオード(以下、SBDと称す。)を有する半導体装置に関し、電流分布を均一にすることによりアノード/カソード間の直列抵抗を低減することが可能なSBDを有する半導体装置の提供を目的とする。【構成】少なくとも表層が一導電型となっている半導体基体11と、該半導体基体11と接触して該半導体基体11との間でショットキ接合が形成されているドーナツ状の第1の電極18と、該第1の電極18の外側周縁部を取り囲むように形成され、かつ前記半導体基体11と接触して該半導体基体11との間でオーミックコンタクトが形成されている第2の電極19と、前記第1の電極18の内側周縁部の内側に形成され、かつ前記半導体基体11と接触して該半導体基体11との間でオーミックコンタクトが形成されている第3の電極20とを含み構成する。

Claim (excerpt)：

一導電型の半導体層と、該半導体層と接触して該半導体層との間でショットキ接合が形成されている環状の第1の電極と、該第1の電極の外側周縁部を取り囲むように形成され、かつ前記半導体層と接触して該半導体層との間でオーミックコンタクトが形成されている第2の電極と、前記第1の電極の内側周縁部の内側に形成され、かつ前記半導体層と接触して該半導体層との間でオーミックコンタクトが形成されているとともに該第2の電極と電気的に接続される第3の電極とを有する半導体装置。