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J-GLOBAL ID：200903000261056424

プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法、それらを用いて作製した薄膜、基板、半導体装置

Inventor： 稲増 崇 ,  和田 健司 ,  森田 春雪 ,  早川 尚志
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社
Agent (1)： 佐々木 晴康 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001259011
Publication number (International publication number)：2003068659
Application date： Aug. 29, 2001
Publication date： Mar. 07, 2003
Summary：

【要約】【課題】 高周波電極を複数の小電極に分割するだけでは、各々の小電極に印加された高周波の畳重により、各小電極面上の間隙に近いところで過大あるいは過小な電界が生じ、均一なプラズマを生成させるには不充分であり、各小電極に印加する高周波電圧の位相を調整することで、膜厚分布やエッチング速度の分布が改善される。しかしながら、隣接する小電極の高周波電圧に位相差がある場合には、隣接する小電極間に強い電界が生じ、その強い電界により、局所的な膜厚の不均一が生じる。【解決手段】 高周波電極を構成する複数の小電極に対して、高周波電圧の位相をずらして印加するプラズマ処理装置において、隣接する小電極間の間隙の大きさdcを調節可能とし、複数の小電極と被処理部材との距離daとの関係を、0.5≦dc/da≦3の範囲に調節する。

Claim (excerpt)：

反応容器内に、複数の小電極に分割されてなる電極と、被処理部材配設部を備え、該複数の小電極に分割されてなる電極に、高周波電源から位相をずらした高周波電力を印加することでプラズマを発生させて、被処理部材に対し処理を行う装置において、隣接する小電極間の間隙の大きさが、調節可能であることを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (4)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/505 ,  H01L 31/04 ,  H05H 1/46

FI (4)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/505 ,  H05H 1/46 A ,  H01L 31/04 V

F-Term (41)：

4K030AA06 ,  4K030AA17 ,  4K030BA30 ,  4K030CA06 ,  4K030FA03 ,  4K030JA01 ,  4K030JA03 ,  4K030JA09 ,  4K030JA18 ,  4K030JA19 ,  4K030KA30 ,  4K030LA16 ,  5F045AA08 ,  5F045AB04 ,  5F045AC01 ,  5F045AD06 ,  5F045AE19 ,  5F045AF07 ,  5F045BB02 ,  5F045BB09 ,  5F045BB15 ,  5F045CA13 ,  5F045CA15 ,  5F045DP05 ,  5F045EH04 ,  5F045EH06 ,  5F045EH07 ,  5F045EH14 ,  5F045EH20 ,  5F051AA05 ,  5F051BA14 ,  5F051CA02 ,  5F051CA03 ,  5F051CA04 ,  5F051CA07 ,  5F051CA15 ,  5F051CA26 ,  5F051CA34 ,  5F051CA40 ,  5F051DA04 ,  5F051FA02